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本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构材料,并制作了FET器件.
MBE生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料
【摘 要】
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本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构
【机 构】
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信息产业部电子第13研究所(石家庄)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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