【摘 要】
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石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石墨烯和金刚石二者有机地结合可以做成碳兼容的异质结,从而实现在金刚石上的全碳电子器件。本文主要研究了化学气相法(CVD)生长的石墨烯转移到金刚石衬底上形成石墨烯/金刚石异质结的方法,并对转移后的石墨烯/金刚石进行拉曼光谱的表征及电学性能测试。
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院电子系,西安,710049 陕西省信息光子技术重点实验室,西安,71
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石墨烯和金刚石二者有机地结合可以做成碳兼容的异质结,从而实现在金刚石上的全碳电子器件。本文主要研究了化学气相法(CVD)生长的石墨烯转移到金刚石衬底上形成石墨烯/金刚石异质结的方法,并对转移后的石墨烯/金刚石进行拉曼光谱的表征及电学性能测试。实验中采用PMMA聚合物辅助转移方法,分别将单层和双层石墨烯转移到绝缘体基片金刚石上。石墨烯迁移率为18000cm2/V·s,激光Raman测试结果表明成功地实现了金刚石衬底上石墨烯的转移,这为新型全碳电子器件的研制提供了新的思路。
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