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石墨烯是一种由碳原子六角晶格排列形成的二维单原子层蜂窝状结构材料,其优异的电学特性使其在微纳器件领域具有广泛的应用前景,本文在采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)获得大面积石墨烯薄膜的基础上,以PZT陶瓷为目标衬底转移石墨烯,研究利用PZT极化实现石墨烯导电性能的调控。本文首先研究了石墨烯的CVD生长工艺。以铜箔为衬底,以甲烷、氢气和氩气为工艺气体,通过优化气体流量和压强等参数实现了大面积单层石墨烯的制备,拉曼光谱测试显示所制备的石墨烯薄膜缺陷少。经四探针