传统的微电子器件利用的是电荷的输运性质。已在电子计算机技术和信息技术中获得极大的应用。目前,微电子器件的计算速度和存储的容量已经接近理论值。电子不仅具有电荷的性质,还有另外一个自由度——自旋。若能同时利用电子的自旋和电荷两个自由度,将有可能发展自旋电子器。稀磁半导体是自旋电子器件的一个重要材料。经过不断的研究,人们发现稀磁半导体具有很多有趣的物理性质。ZnO基稀磁半导体不仅继承了ZnO优良的光学、电学性质而且具备稀磁半导体的特性,成为人们研究的热点。但是目前关于ZnO基稀磁半导体研究,不同实验小组实验结果不一致且磁性来源说法不一。本文,我们采用PLD的方法制备Cr掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究温度对Cr:ZnO性质的影响及其磁性来源。主要内容有：采用PLD的方法在石英基片上制备不同温度下的Zn0.97Cr0.03O薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、缺陷、磁性的影响。实验结果表明,在衬底温度为400℃的条件下沉积的薄膜质量最好。样品的磁性对温度敏感,随着温度的增加饱和磁化强度先增加后减小。400℃制备的薄膜具有最大的饱和磁化强度。采用PLD的方法在石英基片上制备了不同氧压下的Zn0.97Cr0.03O薄膜,并测量了它们的磁性、XRD谱、PL谱、磁性及XPS谱等。实验结果表明,所有的样品都具有良好的结晶性,且都沿c轴高度取向；磁测量结果表明,四个样品都具有铁磁性,且在氧压为0.15Pa下沉积的薄膜磁性最强；四个样品都存在VZn、Oi、Zn、V-Zn、Vo缺陷,尤其是VZn对应共振峰面积占所有缺陷总面积的百分比和样品的饱和磁化强度具有相同的变化趋势,表明Zn0.97Cr0.03O磁性与锌空位密切相关；四个样品中都存在Cr3+离子,且在0.15Pa时Cr3+的含量最多。上述实验结果表明,Cr3+和VZn的缺陷复合体是ZnO:Cr样品具有稳定的铁磁有序的最有利条件。