铁电场效应晶体管（FeFET）凭借着非易失、非破坏性读取、高密度集成等优点而成为最有潜力的非易失性随机存储器之一。氧化铪（HfO₂）基铁电薄膜材料是一种新型的铁电薄膜材料,它可以与先进的CMOS工艺兼容,而且在膜厚减小至3 nm以下时它依然具有良好的铁电性,这些优点使得HfO₂基铁电薄膜非常适和应用在FeFET中。掺杂可以明显提高HfO₂基铁电薄膜的铁电性。而化学溶液法（CSD）是一种易于实现掺杂的制备方法,并具有操作简单、经济有效的优点。本文以掺杂的HfO₂铁电薄膜为研究对象,选择镨（Pr）、铈（Ce）两种元素作为掺杂元素,使用了CSD法来制备薄膜。主要工作包括:（1）在（111）Pt/Ti/SiO₂/（100）Si衬底上制备出了不同Pr掺杂量的氧化铪（Pr:HfO₂）薄膜。通过微结构的表征确认了薄膜中铁电正交相的存在,表明Pr的掺入可以在HfO₂薄膜中诱导铁电正交相的形成。对样品进行P-E（极化-电场）回线测试,结果表明薄膜在Pr掺杂量为5 mol%时有明显的铁电性,其最大剩余极化（P_r）值为6.9μC/cm²,矫顽电场（E_c）为1.2 MV/cm。C-V（电容-电压）曲线测试表明薄膜在Pr掺杂量为5 mol%时曲线呈现出明显的蝴蝶曲线形状,进一步确认了此样品中的铁电性。在掺杂量为5 mol%的Pr:HfO₂铁电薄膜的抗疲劳性测试中,样品在经过10⁸次外加电场循环后,其极化强度与初始值相比下降了30%左右。漏电流的测试表明,纯HfO₂薄膜的漏电流数值最小。（2）在N型重掺杂Si衬底上制备出了不同Ce掺杂量的氧化铪（Ce:HfO₂）薄膜,并对薄膜的表面形貌特征、物相结构以及电学性能进行表征。结果表明所制备的Ce:HfO₂薄膜具有较为平整的表面,它们的表面粗糙度均方根(R_RMS)均在1 nm以下,且薄膜的起伏较小。我们还结合多种表征方法确定了薄膜中铁电正交相的存在。电滞回线测试结果表明,薄膜在Ce掺杂量为10 mol%时开始显现出铁电性。在Ce含量为15 mol%时具有最大的P_r值,其大小为16μC/cm²,2E_c为2 MV/cm。对薄膜进行压电性能测试,结果表明掺杂量为10 mol%、15 mol%的Ce:HfO₂铁电薄膜的振幅-电压曲线均为蝶形曲线。相位-电压曲线表明前者的相位可实现160o翻转,后者则可以实现180o的相位翻转。