近年来，自旋电子学由于其丰富的物理内容以及巨大的应用前景，引起了物理学界和材料学界的广泛兴趣，大量的研究人员投身于其中，各种传统的或非传统的，以及后来发展出来的新的研究方法和表征手段等，都被应用起来，推动着自旋电子学飞速发展。霍耳效应，由于其与材料的微结构、载流子的类型、浓度以及平均自由程等许多关键信息密切相关，在电子输运行为等基础研究中有着极重要的意义，也就成为研究自旋电子学的有力工具。在磁性材料中还存在着反常霍耳效应，它与材料的磁化强度M有关，至今没有很好的理论解释，仍是研究的热点。随着纳米材料的兴起，在纳米颗粒膜体系中相继发现了巨磁电阻和巨霍耳效应，以及后来又在Fe<,x>Sn<,100-x>合金薄膜体系中发现．Fe<,68>Sn<,32>薄膜具有很大的反常霍耳效应。基于此研究背景，本文着重研究了(Fe<,x>Sn<,100-x>)<,1-y>(SiO<,2>)<,y>颗粒膜体系的巨霍耳效应。 我们将Fe和Sn熔炼成合金，再切成薄片后贴在SiO<,2>上做成复合靶，并利用了选择溅射现象，采用磁控溅射的方法制备了一系列(Fe<,x>Sn<,100-x>)<,1-y>(SiO<,2>)<,y>颗粒膜样品。系统的研究了样品的磁电阻和霍耳效应，获得了约为75μΩ·cm的霍耳电阻率。 我们还采用溶胶一凝胶法制备了Zn<,0.98>Fe<,0.02>O块材样品，利用XRD检测了样品的结构。结果表明样品具有ZnO的六角结构，并且只有ZnO的衍射峰出现，没有Fe或Fe的化合物等杂相存在，说明样品只包含单相ZnO。结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置。利用VSM所作的分析测量表明，样品是铁磁性的，且居旱温度高于室温。