随着CMOS工艺的进步,集成电路已经发展到系统级芯片SOC的阶段,由于CMOS电路的低成本、低功耗以及工作速度的不断提高,CMOS电路设计技术得到不断的进步,已经被证明是实现SOC的最好选择。基准源电路作为其中不可或缺的一个模块,一直以来是研究的热点,基准源是与电源、工艺、温度的关系很小,其精度及稳定性对系统有较大的影响,广泛的应用于A/D、D/A转换器、滤波器及锁相环电路中,高性能的基准源是电路中必不可少的部分。　　本文首先谈及CMOS基准源的背景及发展现状,明确了研究基准源的理论与实际意义。随着按比例缩小理论的不断发展,片上系统(system-on-chip,SOC)已经受到学术界及工业界广泛关注。由于SOC要求很高的集成度,而CMOS工艺的特点正好符合了这种需求,因此,用CMOS技术来设计电路越来越成为集成电路的发展趋势。通过对比几种流行的基准源的结构(Brokaw、Widler、Kujik型)来确定本文所采用的结构,然后推导MOSFET器件模型,研究CMOS工艺下的BJT模型,以及非常重要的BEV特性,分析了其中的关键参数,研究和讨论了电路的核心模块,详细给出正温度系数和负温度系数电压的获取过程,以及运算放大器、启动电路的设计电路,最后给出完整的低温漂CMOS基准电压源的电路,该电路在Kujik基准源的电路基础上,综合一阶温度补偿、电流反馈和电阻二次分压的技术,然后仿真并分析结果。　　本设计的工具是Mentor Graphics的IC软件,DA_IC为原理图输入工具,Eldo为仿真工具,工艺是Chartered0.35μm CMOS工艺,电源电压是3.3V,本次设计的指标为温度系数10～20ppm/℃,电源抑制比-45dB,功耗3.3mw。仿真结果显示,温度系数约为10ppm/℃,电源抑制比约为-44dB,功耗约为3.01mw,仿真结果表明性能满足指标。