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随着微纳器件的广泛发展,特别是闪存(Flash Memory)器件发展遇到瓶颈以后,迫切需要发展新一代非易失存储技术。阻变式存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是利用某些薄膜材料中电阻状态变化来实现信息的存储。相对于闪存器件,阻变式存储器具有更加优良的可缩小化特征,原因是阻变式存储器在外加的磁场、电场、温度等条件下,只有薄膜材料中的电子结构的排列受到影响。阻变式存储器具有读写速度快、制备成本低、工作能耗低、环保和可3D集成等特性,是新一代非易失存储器件候选