范德华铁电体的兴起不仅为研究二维极限尺度的铁电性提供了一个新平台,并且在信息存储和神经突触等领域具有巨大潜力。在已知的二维铁电体中,α-In2Se3因其半导体特性以及独特的面内面外耦合铁电性而被广泛应用在铁电功能器件,例如铁电二极管、铁电场效应晶体管、铁电半导体晶体管和多通道忆阻器。然而,具有低功耗、非破坏性读取和多通道读写特性的面内铁电隧道结仍处于理论研究阶段。受限于电子束曝光技术的微米量级面内分辨率,本课题利用激光辐照的方法,制备了β/α/βIn2Se3面内铁电隧道结,为灵活的多端非易失性铁电存储器提供了一种新方法。主要研究内容如下:一、探究了激光辐照对α-In2Se3的相变调控。我们研究了激光功率、衬底类型和气氛环境等因素对激光辐照α-In2Se3的影响。我们发现随激光功率的增大,In2Se3将从α相逐渐转变为α、β混合相,纯β相和非晶相。结合拉曼光谱,二次谐波和荧光光谱等表征手段验证在3m W功率窗口可以获得高质量的β-In2Se3。另外,选用低热传导系数的衬底有利于相变发生,但是金属衬底由于电荷转移的作用可能降低相变温度也使相变容易发生,所以相变机理除了焦耳热效应外也有光生载流子的贡献。二、基于上述实现的温和的光致相变扫描技术,我们通过逐步相变实验发现同一个器件的导电性随着β-In2Se3体量的增加而变好,当器件完全转变为β相时,电流值提高了三个量级,证明了β-In2Se3的良好的导电性。此外,α-In2Se3与金属直接接触时的非线性输出曲线证明α相/金属界面为肖特基接触,而在α相/β相/金属器件中的线性输出曲线说明实现了欧姆接触。因此证明β相可以作为α-In2Se3面内器件的电极。三、为了实现面内隧穿效应,我们通过光致相变制备了高精度β/α/β面内异相结,独特的面内结构可以消除面外极化反平行排列或极化诱导的移动电荷引起的电阻变化。我们发现器件的导电性与面内极化相关,室温下的开关比超过40,温度降到10 K时增加到270,说明热电子隧穿为主要导通机制。保持性（10~3秒）和抗疲劳性（10~3次）测试表明器件可以作为非易失性存储单元使用。最后,我们重复制备了多个器件都具有良好的存储特性,证明光致相变是一种稳定的精密的制备高质量α/βIn2Se3面内异质结的手段。