GaN基共振腔发光二极管（RCLED）是一种将光学谐振腔与LED相结合的半导体光电器件,具有亮度高、发射光谱线宽窄、光输出方向性好、制造成本低、温度稳定性好等优点,且GaN基RCLED的出光特性很大程度上依赖于顶部反射镜的性能。基于此,本论文围绕GaN基RCLED顶部反射镜的设计、器件制备与性能测试展开了详尽的研究工作,设计了两种不同结构的顶部反射镜,优化了器件的性能,最终实现器件的单纵模窄带宽波长可调谐光出射,同时改善了器件的光输出方向性。论文主要内容如下:1.单纵模波长可调谐GaN基RCLED研究。在RCLED顶部出光腔面设计并制备了 9对Ta2O5/SiO2介质滤波器结构分布式布拉格反射镜（DBR）,其中心波长分别位于435nm、451nm和461nm,对应于谐振腔的三个谐振纵模位置。三种器件的光学测试结果表明:滤波器结构DBR的反射率曲线在中心波长处存在一个透光凹带,对输出光波长具有很好的筛选作用,可以实现器件的单纵模窄带光出射,器件发射光谱线宽均小于1.3nm;通过优化设计膜层的中心波长,可有效调节RCLED的发射光波长,最终实现了 GaN基RCLED的单纵模波长可调谐光出射,且器件的发射波长与滤波器结构DBR的透光凹带中心波长相对应,同时器件具有良好的温度稳定性;在长波器件中观察到了光子循环再利用现象,由于对器件内短波光子的光激发再利用,长波器件展示出较高的发光效率。2.圆孔结构GaN基RCLED研究。在原有方形器件表面,设计了一种由中心圆孔状滤波器结构DBR和边缘Ag镜组成的组合反射镜,性能测试结果表明,器件出光主要集中于顶部中心圆孔,输出光更加集中于垂直器件方向。在此基础上,进一步优化了组合圆孔反射镜结构,即在方形滤波器结构DBR表面蒸镀带有透光圆孔的Ag镜,提高了顶部遮光面反射镜的反射率,与优化前的圆孔结构RCLED相比,优化后器件的发光强度大幅增加,温度稳定性得到改善,这主要与光子循环再利用作用增强有关。