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NTC (negative temperature coefficient)热敏电阻器是一种具备负温度系数的陶瓷元件,即其电阻率随着温度的上升而逐渐变小。大多数NTCR是由以Mn元素为主拥有尖晶石结构的过渡族金属氧化物复合构成,由于此类NTCR具有稳定性强、可靠性好、灵敏度高以及较为低廉的价格等一系列优点,已被广泛的使用在电路保护、温度控制与测量及温度的补偿等领域。目前,制备高可靠性及低阻高B值型NTCR引起了越来越多的关注。本文则主要在Mn-Mg-Cu三元系尖晶石型热敏电阻基础上,通过热处理工艺上的调控及进行元素掺杂,利用传统固相法,制备了一系列的NTC热敏电阻元件。首先本文研究了采用不同烧结温度对Mn-Mg-Cu系NTCR通流老化性能的影响。研究中表明随着烧结温度的上升,元件的通流老化性能变好。但过高的烧结温度会导致内部晶粒二次生长,使通流稳定性变差。当最高烧结温度为1100℃时,元件有着比较良好的通流老化性能。Bi203为常用的液相烧结助剂,Bi203的加入促进晶粒生长,利于元件内部元素的扩散,同时减小气孔率。实验表明：在最高烧结温度为1100℃下,添加质量分数为2.5wt%的Bi203的基础配方有着最好的通流老化性能。因此制备出了具有较高可靠性的Mn-Mg-Cu基NTCRO。其次本文又研究了掺杂SiO2对Mn-Mg-Cu基NTCR室温电阻率ρ25及B25/85值的影响。结果证明了SiO2的加入能够使元件内部晶粒细化,增加室温电阻率及材料常数B25/85值。但过多SiO2的掺杂则会促进元件内部晶粒的生长,减小元件的室温电阻率及B25/85值。当在Mn-Mg-Cu系基础配方中添加质量分数为1.5wt%的Si02时,在最高温度1100℃烧结下,得到了p25=627Ω·cm, B25/85=3575K的高阻高B值型NTCR。在Mn-Mg-Cu-Si系高阻高B值型NTC热敏电阻器配方基础上,通过添加烧结助剂Bi2O3,继续研究其室温电阻率ρ25及材料常数B25/85值的变化。结果表明：随着体系中Bi2O3含量的增多,元件的室温电阻率及材料常数B25/85值均先变小后增大。当体系中添加Bi2O3的质量分数为1.5wt%时,在最高温度1100℃烧结下,元件的室温电阻率最低,p25=10Ω·cm, B25/85=2910K也满足了国家标准值。因此制备出了低阻高B值型NTCRo通过对各组元件进行通电流老化性能实验并由阻温测试所得到的室温电阻率及B值常数,利用XRD、SEM、EDS等工具分析并讨论了热处理工艺及掺杂对于尖晶石型NTC热敏电阻器电性能及通流老化性能的影响。