过渡金属硫族化合物因其独特的物理性质而备受关注。二硫化铼就是其中一种,适用于光电传感。本论文主要研究二硫化铼及其异质结构在光电传感上的应用潜力。采用机械剥离法制备二维二硫化铼,利用原子力显微镜检测样品厚度,总结出样品光学图像R通道值随层数的变化关系,结果可用于判断较薄二硫化铼的层数。将二硫化铼转移到金电极上制成柔性二硫化铼光传感器,对器件性能进行检测。较薄二硫化铼对不同波长可见光均有光响应,外加3V电压时,器件最大响应度为53.3A/W,外量子效率为10140%。器件光响应时间为700ms,恢复时间为900ms,具有可弯曲性。器件最大的缺点是暗电流较大,开关比低。异质结构具有单一材料不具备的优异性能,广泛应用于各种器件中。基于二硫化铼构建两种异质结构,即ReS₂/Mo S₂和ReS₂/Ga Se异质结构,探索异质结构对材料光电性能的影响具有重要应用意义。经检测发现,外加2V电压时,ReS₂、Mo S₂及其异质结构的暗电流都较大,因此器件灵敏度都较低。无外加电压时,ReS₂、Mo S₂及其异质结构都具有可见光检测能力,然而Mo S₂对光的检测能力最强,说明这种异质结构不适合用于光检测。利用二硫化铼和硒化镓构建了ReS₂/Ga Se异质结构。相同测试条件下,ReS₂/Ga Se异质结构对光检测综合能力要优于二硫化铼和硒化镓。该异质结构在2V时的响应度为0.27A/W,外量子效率为74%,最大电流开关比可达到132,响应时间与恢复时间都低至9ms。总的来说,ReS₂/Ga Se异质结构在光电传感领域具有应用潜力。