近年来,一种特殊的微型磁结构倍受科研人员的关注,即磁斯格明子（magnetic skyrmion）。磁斯格明子自身的特性使得其在下一代信息存储和自旋电子学器件中有很大的应用潜力,如赛道存储器、自旋纳米振荡器以及逻辑门等器件。本文使用微磁学模拟,讨论了在弯曲轨道和外磁场两种情况下磁斯格明子的动力学行为。首先,系统地研究了自旋波驱动下,磁斯格明子在弯曲赛道中的运动情况。在L型轨道中,自旋波可以驱动斯格明子沿着传播方向运动,且在一定条件下可以通过赛道弯曲部分。当自旋波驱动场强度一定时,自旋波的频率再一定范围内才能使磁斯格明子通过赛道。且磁斯格明子的移动距离和自旋波频率呈非线性关系,在几个特殊的频率取值下,移动距离出现了峰值。这种现象和磁斯格明子内部的振荡模式及传输散射截面有关。当增加自旋波激发场强度时,允许磁斯格明子顺利通过赛道的频率范围有一定的增加。其中,当自旋波频率f SW=80 GHz时,磁斯格明子的移动距离最大。当自旋波的频率一定时,允许磁斯格明子通过赛道的最小激发场强度为H0=160 m T,且磁斯格明子的移动距离随着激发场强度的增加而增加。其次,在弯曲程度更大的U型赛道中,虽然磁斯格明子可以通过弯曲部分,但是允许其通过的自旋波激发场强度的阈值从H0=160 m T增加到了H0=300 m T。这说明赛道的弯曲程度越大,其对磁斯格明子的限制也就越大。然后研究了磁斯格明子在极化电流和局域化的垂直磁场作用下的动力学行为。磁场可以作为一种有效的调控方式,来钉扎磁斯格明子的运动。当磁场强度Happ＞0 m T时,磁斯格明子被钉扎在左边界;当磁场强度Happ＜0 m T时,磁斯格明子被钉扎在右边界,和磁场的范围无关。从能量角度分析,垂直的磁场能够调控磁斯格明子的直径,改变磁矩的分布状态,引起了DM相互作用能,退磁能等能量的变化,建立了能量势垒或能量势阱,从而使磁斯格明子被钉扎在磁场边界。最后,当赛道中存在两个磁斯格明子时,由于磁斯格明子之间相互作用的存在,允许一个磁斯格明子通过钉扎磁场的临界电流密度会大幅降低。但是要注意的是,当外加磁场度较大且驱动电流密度也较大时,磁斯格明子容易湮灭,从而使信息丢失。利用蒂勒方程,可以定性地解释磁斯格明子的运动行为。该工作对未来磁斯格明子器件的应用和设计将提供一定的参考价值。