近年来“全面芯片荒”已暴露出中国芯片依赖全球供应链的巨大风险性。尤其在中美贸易争端的背景下,一系列“断供”事件暴露出我国产业安全中“卡脖子”的技术问题,究其根源在于先发国家对于后发国实施的技术路径锁定战略。面对严峻的挑战,当务之急是解决技术路径锁定带来的种种问题。基于此,本文立足于后发国家视角,对技术路径锁定的形成机理与破解进行研究,对我国破解光刻产业技术路径锁定的困局具有重要意义。本文依据“发现问题—分析问题—解决问题—案例分析”的研究思路从理论和实践两个维度展开研究:一方面,基于技术轨道与技术锁定理论,聚焦产业技术路径的锁定问题,分别对技术路径锁定的内涵与特征、形成机理与过程、破解模式及选择进行深入探讨;另一方面,结合我国“光刻技术路径锁定”的困局,依据“技术路径锁定识别与测度—技术路径锁定破解模式及选择”的逻辑框架,综合运用主路径方法、LDA主题模型、社会网络等实证方法,对后发国家视角的技术路径锁定形成与破解进行了较为系统的研究。并得到以下结论:（1）技术路径锁定形成机理和过程比较复杂,核心技术的特征、技术轨道的演化规律以及技术主体之间的技术竞争是技术路径锁定的重要影响因素,并强调了锁定形成的特征包括技术积累性、技术排他性、路径依赖性等。（2）技术路径锁定演化的规律提示我们,对技术路径极限的认知是研究开发战略选择和研发资源配置的基础。如果一条轨道占据主导会减弱其他轨道的发展动力,不同路径的积累性不同导致技术路径锁定的程度有强弱之分,因此,是在主技术轨道竞争中争取突破,还是在分支轨道上寻求机会是一个重要的战略选择。对于后发国家而言技术路径锁定破解的模式应重点关注基于轨道间跃迁的破解路径,包含积累式轨道间跃迁以及跨越式轨道间跃迁。（3）通过光刻产业案例研究发现,光刻技术路径变革均是技术发展到一定阶段,受原有技术路径发展空间的制约而寻求新的突破。目前正处于EUV技术路径的锁定阶段,从1977年开始先发者已经围绕EUV辐射系统、污染屏障这条路径开始研发,但直到2005年才成为技术主路径。关键技术主要来自阿斯麦和美国的大学和实验室,如MIT、劳伦斯、桑迪亚实验室等,截至到现在,领先者已经在EUV技术路径上积累了 40年有余。与传统的光刻技术相比,技术主体发生了较大的变化,阿斯麦、台积电是主要的技术领导者,东京电子和罗姆在新一轮的技术变革中,成为了 EUV光刻胶技术领导者,美国锁定了大部分核心技术与技术路径。（4）我国与发达国家差距较大,国内技术主体既没有出现在主路径中也没有出现在专利权人网络中,说明技术锁定抑制了我国的技术创新,至今无法摆脱技术受制于人的现状。对于我国而言光刻技术路径锁定破解的模式应重点关注基于轨道间跃迁的破解路径,其中,从光刻方式层面来看,纳米压印光刻、电子束光刻有可能作为跨越式轨道间跃迁的锁定破解路径;从芯片材料层面来看,碳基电子技术有可能作为积累式轨道间跃迁的破解路径。一方面,仍然可以延续DUV光刻技术,另一方面我国在碳基电子技术领域则与领先者锁定强度差距较小,从而论证了技术换轨的可能性。本文的创新点:（1）将技术轨道和后发者视角相结合揭示了技术路径锁定形成机理;（2）结合动态技术演化与静态技术差距进行技术路径锁定的识别与测度,通过技术路径锁定的相关内容完成了对基础主路径方法的拓展与修正;（3）构建了基于技术轨道跃迁的技术路径锁定破解模式及选择模型;（4）立足我国“光刻技术路径锁定”的困局总结出一个完整的光刻机产业案例。本研究对技术路径锁定的形成机理、形成过程以及破解模式进行理论分析,挖掘了技术路径锁定的关键要素并构建了识别与测度方法,弥补了后发国家视角下技术路径锁定理论与实证研究方面的缺乏,对技术锁定理论体系进行完善和补充。在实践上,由于我国面临先发国家对后发国实施的技术锁定战略,是我国技术创新发展的关键阶段,本研究重点开展光刻技术卡脖子情境下技术路径锁定的理论研究与实证研究,丰富了技术锁定的内涵,也对相关的产业发展提供一定参考。