Ⅲ-Ⅴ族半导体低维结构材料的平面光学各向异性

来源 :中国科学院半导体研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jason31906

【摘要】

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该论文利用偏振差分反射光谱(RDS)和偏拓差分光电流谱(PCDS)技术,并结合包络函数计算模型首先对GaAs/Al(Ga)As量子阱的平面光学各向异性进行了系统的研究,在对量子阱的光学各

【作者】

：

叶小玲

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

中国科学院半导体研究所

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

偏振差分光电流谱偏振差分反射光谱光学各向异性

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该论文利用偏振差分反射光谱(RDS)和偏拓差分光电流谱(PCDS)技术,并结合包络函数计算模型首先对GaAs/Al(Ga)As量子阱的平面光学各向异性进行了系统的研究,在对量子阱的光学各向异性有深刻的认识的基上把研究对象扩展到其他一些相对较为复杂的材料体系(如InGaAs/(Al)GaAs、InGaAs/InP),在研究中我们把工作的重点放在别人很少涉及到的各向异性谱型特征的分析上,取得了一些有意义的结果.

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