【摘 要】
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该文分析了30.2GHz改进的Push-Push结构FET介质振荡器和双介质谐振器谐波振荡器,研制的振荡器在100kHz处相位噪声分别小于-90dBc/Hz和-93dBc/Hz.该文分为以下几个部分:(1)阐
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该文分析了30.2GHz改进的Push-Push结构FET介质振荡器和双介质谐振器谐波振荡器,研制的振荡器在100kHz处相位噪声分别小于-90dBc/Hz和-93dBc/Hz.该文分为以下几个部分:(1)阐述了微波介质振荡器的基本原理,从振荡器的相位噪声模型出发,分析了在一般串联反馈型DRO设计调试过程中存在的问题,并提出了降低DRO相位噪声的简单方法;(2)在分析Push-Push微波介质振荡器基本原理的基础上,提出了提高Push-Push结构振荡器Q值的方法;(3)论述了双介质谐振器谐波振荡器的工作原理,分析了有源器件偏置条件和负载阻抗对振荡器谐波功率产生的关系;(4)在对相位噪声分析和优化的基础上,设计和制作了低相位噪声DRO电路,并对其性能进行了测试分析.
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