随着半导体生长技术日益发展,半导体量子点一直是凝聚态物理研究的热点,尤其是光吸收的物理特性,即光电性质、输运特性有着新颖的广泛应用。本文在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限厚势垒GaN/AlxGa-xN球形量子点杂质态电子从1S态跃迁到2P0态一阶线性和三阶非线性光学吸收系数及压力效应。数值计算了线性和非线性光吸收系数随量子点尺寸、有限厚势垒、组分的变化,讨论了流体静压力对线性和非线性光吸收的影响。结果表明随着垒厚的减小三阶吸收系数减小,一阶吸收系数增加,总的吸收系数增加,而且吸收峰出现蓝移。随着量子点尺寸的减小和组分的增加子带跃迁吸收峰升高且发生蓝移；随着压力的增加,吸收系数峰值的位置向短波方向移动(蓝移),且光吸收峰值会随流体静压力的减小而增加且发生红移。因此,势垒厚度对球形量子点杂质态吸收系数有着不可忽略的影响。