本文是利用等离子体化学气相淀积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD），在低温低压下，使用有机物TEOS（正硅酸四乙脂，Tetraethylorthosilicate，Si（C₂H₅O）₄）为反应源在硅片表面上生长P-SiO₂介质膜以及P-SiON钝化膜，利用制程参数（RF功率、基板温度、气体流量以及反应压力）的改变，来探讨对薄膜的生长特性、硬度、应力、附着性及折射率的影响。 实验结果显示，用PECVD法淀积的P-SiO₂膜是一表面平坦且致密的非晶质结构的薄膜，与硅片衬底之间有良好的附着性；在中心条件时生长速率可控制在2600A/min左右；在基板温度410℃时有最大的硬度可达16Gpa；其应力为压缩应力，可达-75Mpa；薄膜的临界荷重为46.5uN。在不同条件下所得的薄膜，其折射率在1.46左右。 PECVD所淀积的P-SiON薄膜亦是平坦且致密的非晶质结构，与硅片衬底之间有良好的附着性；在中心条件时生长速率可达2100A/min左右；薄膜硬度最大硬度值为18Gpa；P-SiON薄膜亦承受-60Mpa的压缩应力；薄膜的临界荷重可达45uN；在不同条件下所得的薄膜，其折射率在1.65左右。 通过实验研究可以看出，与传统的SiH₄系SiO₂介质膜和SiON钝化膜相比，TEOS系薄膜作为介质膜和表面钝化膜具有膜质优良、可控性好的特点。其次，在大生产上，具有安全性好、成本低廉的优点。可广泛推广应用于IC的制造工艺中。