【摘 要】
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该文在国内首次全面、系统地对电子束曝光计算机模拟和邻近效应校正技术进行研究.论文的主要工作是建立一个电子束曝光Monte Carlo模拟计算模型及其软件系统,提出多种新的算
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
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该文在国内首次全面、系统地对电子束曝光计算机模拟和邻近效应校正技术进行研究.论文的主要工作是建立一个电子束曝光Monte Carlo模拟计算模型及其软件系统,提出多种新的算法,对实际的具有高斯分布束斑的电子束在抗蚀剂-衬底中的散射及能量沉积过程进行模拟计算,由抗蚀剂吸收能量密度的计算结果结合显影模型,模拟显影剖面轮廓.在准确模拟曝光、显影过程的基础上,通过大量计算,研究不同曝光、显影条件对电子散射轨迹、抗蚀剂吸收能量密度分布以及显影图形的影响,进而探讨邻近效应的产生机理,寻求有效的邻近效应校正途径.
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