【摘 要】
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该文对硅外延片电阻率和厚度均匀一致性的改善做了一系列探索和改进.该文深入分析了造成自掺杂的各种因素,推断出自掺杂的形成机理及过程,利用变流量的方法改变反应室内的气
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该文对硅外延片电阻率和厚度均匀一致性的改善做了一系列探索和改进.该文深入分析了造成自掺杂的各种因素,推断出自掺杂的形成机理及过程,利用变流量的方法改变反应室内的气流状态,迅速降低了存在于滞留层中的自掺杂杂质浓度,简洁有效地提高了电阻率的均匀一致性.(经生产实践证明,p型衬底硅外延片的电阻率均一性可以控制在4﹪以内),这种方法改变了传统观念,避开了次要矛盾,通过在自掺杂形成的关键环节进行控制,简化了生产工艺,缩短了生产周期,降低了生产成本.
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