注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:candysan
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我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
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