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利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮，室温载流子浓度为1．9×10^17cm^-3和迁移率为6214cm^2／V·s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs（LO）的233cm^-1和InSb（LO）的187cm^-1