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非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性
非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanyushan10601
【摘 要】
:
报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术,探讨了镍诱导晶化机理。详细调查了诱导化时间和温度对晶化速率的影响,并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性。实验结果发现用该方法可以
【作 者】
:
秦明
Poon
VMC
【机 构】
:
东南大学微电子中心,香港科技大学电子与电机工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2001年1期
【关键词】
:
镍诱导
非晶硅
薄膜
横向晶化工艺
nickel
am orphous silicon
crystallization
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报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术,探讨了镍诱导晶化机理。详细调查了诱导化时间和温度对晶化速率的影响,并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性。实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶;在晶化温度为625℃左右时晶体横向晶化速率最高。如要获得较长的晶体,低温退火则比较有利。
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