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利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基ZnO晶体薄膜，并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对ZnO薄膜的晶体质量和电学性能进行了分析，结果表明，ZnO薄膜具有高度的c轴取向，样品表明光洁、平整，薄膜与衬底之间有清晰的过渡区，在此ZnO薄膜上成功地制备了肖特基二极管的原型器件，室温下的I—V测试结果表明该Au／ZnO／Al肖特基二极管具有明显的整流特性。