硼掺杂p—型半导体金刚石薄膜的气相合成及其掺杂行为的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rgy1983

【摘要】

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利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料、以单质硼为掺杂源,制备了高晶体品质的硼掺杂多晶金刚石薄膜。其晶体结构及晶格常数与天然立方结构金刚石相同,硼掺杂后未引起金刚

【作者】

：

于三邹广田

【机构】

：

超硬材料国家重点实验室吉林大学原子与分子物理研究所,超硬材料国家重点实验室吉林大学原子与分子物理研究所长春130023,长春130023,长春130023

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1993年9期

【关键词】

：

半导体材料金刚石薄膜合成掺杂 BoronChemical vapor depositionDoping (additives)Films

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利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料、以单质硼为掺杂源,制备了高晶体品质的硼掺杂多晶金刚石薄膜。其晶体结构及晶格常数与天然立方结构金刚石相同,硼掺杂后未引起金刚石薄膜中非金刚石碳含量的增加。证实了硼掺杂金刚石薄膜为p-型半导体材料,其最大硼掺杂浓度接近1020cm-3,最大室温空穴载流子浓度达到1018cm-3。由硼掺杂

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