在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：y58jm

【摘要】

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利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括

【作者】

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李兴教王宁章鲍军波邹雪城徐静平陈涛 LI Shao-ping

【机构】

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华中科技大学电子系,武汉,430074;Advanced Recording Technology Laboratory Seagate Technology,N55435 U.S.A

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

2002年5期

【关键词】

：

层状铁电薄膜界面电位降耗尽层

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利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数ξ.由修正的经验幂定律和I-V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C-V曲线理论得出的结果一致.界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.

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