光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qyjby
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
给出了光表面控制负阻晶体管PNEGIT(Photo-Controlled Surface Negative Impedance Transistor)的电路模型,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型,用电路模型插写带有表面复合和体复合的器件,模型为研究PNEGIT和表面控制负阻晶体管NGEIT(Surface-Controlled Negative Impedance Transisto
其他文献
采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG),通过改变生长温度和生长压力,MQW的适用范围由C波段扩展至L波段,即MQW的光致发光波长从1
对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究。Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量。Ti硅化物在非晶层上形成。与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两
我们对SiO2覆盖退火增强InGaAs/InGaAsP/InP激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品,退火时无SiO2覆盖的样品经800℃,30s快速退火后,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”7nm,退火时有SiO2覆盖的样品经过同样
给出了一种采用FD-BPM方法对整个阵列波导光栅(AWG)器件进行方便而精确地模拟的方法和一个AWG设计实例的模拟结果,并对模拟结果进行了分析。由模拟得到的器件基本参与实际设计值
为探明地铁运行振动对地层的影响,以北京的地铁站为例,建立地铁站的结构三维模型及其所在地层的地质三维模型,在此基础上利用有限元分析软件在时域内对地铁区间隧道及其周围
<正> 一、概况近年来我国城市煤气发展较快,在381 个城市中已建煤气企业185个,9万工作人员(1987年末统计),1986及1987年的供气情况见表1。
利用高温云纹实验方法测试球栅阵列(BGA)封装焊点的热应变,采用硅橡胶试件光栅复制技术,使测试环境温度提高到200℃。通过实时热应变测量,得到各焊点的热应变关系以及封装材料、电
利用硅压阻传感器实时原位地记录粘接剂固化过程中的应力变化和残余应力的分布状况,以及在热处理过程中应力的演化过程。研究表明,若粘合剂固化后在空气中储存20天,应力将在后续
基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制。结果表明,低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于
<正> 我国有众多的民用煤炉和饮食炉灶,由于设计不太合理、燃烧方式落后、保温性能差、炉体散热损失和炉口排烟热损失严重,热效率一般只有20%。全国民用煤一年消耗9000多万t,