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倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hjjnet

【摘 要】

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本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同

【作 者】

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张延清 齐春华 周佳明 刘超铭 马国亮 蔡勖升 王天琦 霍明 

【机 构】

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哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,中国科学院微电子研究所

【出 处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2020年22期

【关键词】

：

倒置四结太阳电池 电子辐照 退火效应 热退火激活能 inverted metamorphic four junction solar cellselectron 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:11805045,61704039,61771167和11775061),强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR2015,SKLIPR1912),哈尔滨工业大学科研创新基金(批准号:HIT.NSRIF.2019007,HIT.NSRIF.20190028)资助的课题

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本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV

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