论文部分内容阅读
本文利用500MeV的Ne离子对掺Zn的InP的半导体进行了辐照,并且MonteCarlo模拟及正电子湮没技术研究了辐照料产生的缺陷,模拟计算结果表明,注入的的Ne的离子及辐照产生的缺陷均主要集中在离子射程末端,由正电子寿命测量结果可知,在低剂量辐照时,产生的空位力单空位,当辐照齐量增大时,单空位由于相互聚合空成双空位及空位团,随着剂量进一步增大,不罕形成无序的非晶层。