【摘 要】
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采用超高真空气相淀积系统(UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜(poly-Si0.7Ge0.3).研究了它的退火特性和电阻温度特性.将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件,采用体硅微机械
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采用超高真空气相淀积系统(UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜(poly-Si0.7Ge0.3).研究了它的退火特性和电阻温度特性.将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件,采用体硅微机械加工技术制作了8×1桥式微测辐射热计线性阵列,优化设计的微桥由两臂支撑,支撑臂的长和宽分别为220μm和8 μm.桥面面积为80μm× 80μm.测试结果表明,在773 K黑体源8～14 μm红外辐射下,调制频率为30Hz时,阵列中各单元的电压响应率为6.23 kV/W～6 40 kV/W.探测率为2
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