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利用低温化学气相沉积法,在经过热氧化处理的单晶硅片(100)上引入硅源;再利用气相转移法,将硅片上的硅源晶化为Silicalite-1沸石晶体;最后,利用二次生长法与直接原位晶化法相结合,将含有沸石晶种的硅片放入沸石合成前驱液中,在单晶硅片上合成出了连续致密的薄Silicalite-1沸石膜,单晶硅片没有被腐蚀.