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阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dmjian

【摘 要】

：

采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析,分析中考虑了随机工艺

【作 者】

：

李文宏 章倩苓 

【机 构】

：

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年3期

【关键词】

：

阈值电压 SRAM SNM 超深亚微米 静态随机存储器 静态噪声容限 VDSM  SRAM  SNM 

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采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对SNM的影响,结果与HSPICE仿真相符;文中同时分析了栅宽与SNM的关系,其结论与实验结果一致,并给出了VDSM SRAM存储单元设计中应注意的问题.

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