VDSM相关论文
光学邻近效应校正（OPC）是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中，为了寻找合适的掩模补偿图形，必须迭代计算大量的空间稀疏......
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局......
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多......
采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Ma......
首先介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Tauru Worbench,基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了深亚微米级N沟器件的核......
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台.在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的......
利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC......
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Taurus Workbench,基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了深亚微米级n沟器件的核心......
超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题，如果仅使用传统芯片设计流程，耗时长且难以达到设计收敛，必须探索新的设计方法......
VDSM(超深亚微米)设计中互连线延迟已在电路延迟中起到决定性作用.在前期设计阶段考虑互连延迟问题已是当前研究的重要课题.建立以......
