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鉴于已报道的平面共振遂穿二极管（PRTD）存在的缺点，文中提出了一种新的平面RTD器件结构．以n^＊ GaAs代替半绝缘GaAs衬底，利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离，成功设计研制平面型RTD和由其构成的单一双稳转换逻辑单元，此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路．
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
【摘 要】
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鉴于已报道的平面共振遂穿二极管（PRTD）存在的缺点，文中提出了一种新的平面RTD器件结构．以n^＊ GaAs代替半绝缘GaAs衬底，利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离，成功设计研
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,天津工业大学信息与通讯工程学院,中国电子科技集团十三所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年12期
【基金项目】
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超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目（批准号,51432010204JW1401）
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