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在超高真空系统中，用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化，实验发现，当退火温度为630℃时，出现了许多新的量子点，与原来的分子束外延过程中形成的无换配位错的量子点相比，新形成的量子点被认为是存在位错的岛。
退火过程中自组织生长Ge量子点的变化
【摘 要】
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在超高真空系统中，用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化，实验发现，当退火温度为630℃时，出现了许多新的量子点，与原来的分子
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1983 40 5 0 )
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