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研究了用ＣＦ４或乙醇作为反应气体，Ａｒ作为气体添加剂对ＩＴＯ膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压，Ａｒ的流量对刻蚀速率的影响，得出了最佳工艺条件，并从理论上分析了刻蚀的机理。研究表明，用乙醇等有机气体对ＩＴＯ膜进行反应离子刻蚀的效果更为理想。
ITO透明导电薄膜的反应离子刻蚀
【摘 要】
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研究了用ＣＦ４或乙醇作为反应气体，Ａｒ作为气体添加剂对ＩＴＯ膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压，Ａｒ的流量对刻蚀速率的影响，得出了最佳工艺条件，并从理论上分析了刻蚀的机理。研究
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1999年3期
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