崩越二极管模拟分析及实验

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lulubukule
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应用自编的崩越二极管模拟程序,进行了器件的计算机模拟.给出硅8毫米双漂移崩越管的模拟结果及其分析.并给出经计算机优化器件设计的实验结果. A computer simulation of the device was carried out by using a self-designed program of avalanching diode.The simulation results and analysis of a silicon 8 mm dual drift collapsing tube were given, and the experimental results of computer-optimized device design were given.
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