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通过对实验过程中炸裂的S波段盒型输出窗观察和X射线光电子能谱检测，结合软件对窗内电磁场分布模拟以及电磁机理的理论分析，探讨高平均功率输出窗电击穿的物理原因，研究窗中高次模式电场对微波功率损耗、功率流方向以及输出窗电击穿的影响。结果表明，存在于窗片表面的TM11模可能降低输出窗的电压和平均功率承受能力。