【摘 要】
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本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,西安交通大学微电子工程系,南京电子器件研究所
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本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．
In this paper, we analyze the microwave characteristics of MESFET planar varactors used in GaAs MMIC frequency modulation devices, and discuss the relationship between device geometry and DC parameters and S parameters. The influence of device series resistance on the microwave characteristics is studied emphatically, and the varactor capacitance ratio and the device geometry size are given.
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