【摘 要】
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本文采用氯化物法In-Ga-AsCl_3-H_2体系进行InGaAs/InP的异质气相外延研究。对采用In/Ga混合源和铟、镓的独立金属源的外延体系进行了比较。采用尽可能大的In(InAs)面积并降
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文采用氯化物法In-Ga-AsCl_3-H_2体系进行InGaAs/InP的异质气相外延研究。对采用In/Ga混合源和铟、镓的独立金属源的外延体系进行了比较。采用尽可能大的In(InAs)面积并降低晶格失配率的同时,注意提高原材料纯度,是制备优质多元外延材料的必要条件。
In this paper, the In-Ga-AsCl 3 -H 2 system was used to study the heterogeneous vapor phase epitaxy of InGaAs / InP. Epitaxial systems using In / Ga hybrid sources and indium and gallium independent metal sources were compared. As much As possible In (InAs) area and reduce the lattice mismatch rate, while paying attention to improve the purity of raw materials, is the necessary conditions for the preparation of high quality multi-element epitaxial material.
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