【摘 要】
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多值开关级代数可以在晶体管开关级为MOS电路建模,井已在分析与设计通路晶体管开关网络中取得了很好的效果。本文对多位开关级代数作了进一步研究,取得了若干新结果:(1)提出
【机 构】
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上海铁道学院可靠计算系统研究室,上海铁道学院可靠计算系统研究室 200333,200333
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多值开关级代数可以在晶体管开关级为MOS电路建模,井已在分析与设计通路晶体管开关网络中取得了很好的效果。本文对多位开关级代数作了进一步研究,取得了若干新结果:(1)提出以(A#B)*G的形式来描述MOS管的双向开关特性;(2)提出以#范式及结点方程组来描述一个复杂的MOS开关网络的特性;(3)提出吸收定理,以简化并求解网络的结点方程组。
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