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低压条形栅功率场效应晶体管的研制
低压条形栅功率场效应晶体管的研制
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kcb2639
【摘 要】
:
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的
【作 者】
:
王立新
廖太仪
陆江
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2006年z1期
【关键词】
:
条形栅
VDMOS
功率场效应晶体管
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介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
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