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采用连续电介质理论计入对材料介电常数的修正，利用变分法讨论半导体单异质结中界面附近的单电子束缚于施主杂质的基态结合能．对AlxGa1-xAs/GaAs和GaxIn1-xN／InN等几种半导体异质结做了数值计算，给出杂质态结合能随杂质位置的变化关系．结果表明：当杂质处于垒材料中远离界面时，介电常数的修正对结合能无明显影响;当杂质靠近界面且组成异质结的两种材料的介电常数相差较大时，计入修正后的结合能低于已有的近似结果，最大降低可达5％～6％（x=0．3）．