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[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：投资北京 年份：2004
去年在上海举办的夏季版嘉年华活动共计78天,吸引游客共220万人次,总收入达到了2.4亿元,为上海浦东带来了可观的效益。今年7月2日到8月22日,北京市石景山区成功引进了“环球...
[期刊论文] 作者：万新恒,,
来源：投资北京 年份：2007
统计指标的门类比较多.就区县工作实践来说.使用较多的是地区生产总值(GDP).全社会固定资产投资等几个指标.按照陆市长3月8日石景山区专题调研会议精神(《北京市人民政府...
[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：畅销书摘 年份：2000
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[期刊论文] 作者：万新恒,,
来源：中国政府采购 年份：2007
如何通过政霹专采购．加强财政支出管理．节约财政资金．抑制腐败，提高资金的使用效率是各级政府面临的一个重要课题。...
[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：中国科技投资 年份：2007
我就谈一个观点.新的企业所得税法出台对企业是个机遇,对政府是个挑战；对科技创新是机遇,对科技园区是挑战.新企业所得税法将对我们现行的科技园区形成巨大冲击,所以科技园区...
[学位论文] 作者：万新恒,
来源：北京大学 年份：2001
针对MOS结构器件抗辐照应用所面临的瓶颈问题,该文主要围绕体硅及SOIMOS器件的总剂量辐照效应开展了实验及理论两方面的研究工作.首先,从实验角度较为系统地研究了体硅MOS器...
[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：投资北京 年份：2004
根据北京市“两轴两带多中心”的城市空间布局规划,石景山区处于“一轴一带”的交汇区域,定位于“绿色生态带”和“综合服务区”,确立了建设“现代、绿色、文明”首都新城区...
[期刊论文] 作者：万新恒,,
来源：思想政治工作研究 年份：2015
中卫是旅游城市、交通枢纽城市,也是路上、网上丝绸之路重要节点城市。作为民族地区,面对经济发展新常态和社会转型新要求,新时期精神文明建设必须按照“四个全面”的总部署,...
[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：学习与研究 年份：2009
一场从美洲大陆袭来的甲型H1N1流感，与国际金融危机和中国经济周期性调整不期而遇，共同构成当前我国经济面临的“三大试题”。从解题的难易程度分析，笔者认为：国内经济周期性下行......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
发展了一种研究ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的新方法。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，发展了一种局域态电荷密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：自动化与仪表 年份：1997
容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ.........
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种简明的氢化非晶硅局域态电荷密度统一模型。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，推导出局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型。利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟，模型计算结果与实验吻合较好，初步分析了高剂量条件下不同散射......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,等,
来源：半导体学报 年份：2001
首次报道了辐照所引起的SOI／MOS 器件PD（部分耗尽）与FD（全耗尽）过渡区的漂移。基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移。讨论了辐照引起F......
[期刊论文] 作者：万新恒,龚建明,
来源：自动化与仪表 年份：1997
８０Ｃ５１系列单片机波特率自动检测的通用程序ＡｎＡｕｔｏｍａｔｉｃＢａｕｄＲａｔｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｆｏｒｔｈｅ８０Ｃ５１ＳｉｎｇｌｅＣｈｉｐＣｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒龚建明ＷａｎＸｉｎｈｅｎｇＧｏｎｇＪｉａｎｍｉｎｇ１引言在串行异步通.........
[期刊论文] 作者：万新恒,吴玉鹏,,
来源：中国经济信息 年份：2000
本刊讯当前,信息化浪潮席卷全球,校园信息化已是大势所趋,“信息化校园”建设将逐渐成为社会,特别是教育界和科技界普遍关注的焦点。《信息化校园:大学的革命》一书旨在对“...
[期刊论文] 作者：万新恒,甘学温,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一个含总剂量的辐照效应的SOI MOSFET统一模型，该模型能自动计入体耗尽条件，不需要分类考虑不同膜厚的情况，模型计算结果与实验吻合较好，该模型物理意义明确，参数提取方便，......
[会议论文] 作者：黄爱华,万新恒,张兴,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,邹雪城,OulachgarHassan,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析......
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