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[会议论文] 作者：佘峻聪,,
来源： 年份：2004
基于场发射的真空微纳电子器件及其应用探索,是真空电子学的重要研究内容之一[1]。随着微纳加工技术的发展和场致电子发射物理研究的深入,真空微纳电子学研究已从材料制备、...
[会议论文] 作者：佘峻聪,,
来源： 年份：2004
光刻是集成电路制造的核心技术之一。目前,集成电路制程中采用的是光学光刻。在5 nm及更先进的集成电路工艺节点,需要采用极紫外(EUV)光刻。电子束光刻是一类分辨率高和线宽...
[学位论文] 作者：佘峻聪,
来源：中山大学 年份：2005
本论文主要研究了平面超薄类金刚石薄膜(diamondlikecarbon，DLC)、顶端定位沉积有DLC薄膜的硅微尖锥(简称为DLC尖端)阵列、单根碳纳米管阵列、有序单晶硅纳米线阵列这四种新型...
[会议论文] 作者：佘峻聪,陈军,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：佘峻聪,杨洋溢,陈军,,
来源：中山大学学报（自然科学版） 年份：1999
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[期刊论文] 作者：佘峻聪,杨洋溢,陈军,邓少芝,许宁生,
来源：中山大学学报(自然科学版) 年份：1999
用热蒸发成功地在玻璃、硅和铝等衬底上沉只新型四羧基合铜化合物ＣｕＢ（Ｂ为有机配体甜菜碱）薄膜，通过对比薄膜与粉不原料的红外吸收光谱图。确认薄膜物质成分与结构未发生变化；电子探针......
[会议论文] 作者：佘峻聪,何浩,邓少芝,陈军,许宁生,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了制备带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列的技术,并对面积为0.25mm2、40×40DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品进行了场发射特性测试,在栅极电压为200V时获得0.23A/cm2的发射电...
[会议论文] 作者：佘峻聪,姚日晖,陈军,邓少芝,许宁生,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的...
[会议论文] 作者：佘峻聪,肖志明,何浩,邓少芝,许宁生,
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
基于场致电子发射原理的冷阴极有可能在平板显示器、太阳能电池、微型卫星助推器、微型质谱仪、平行电子束光刻、冷阴极发光管、微真空三极管等信息电子器件上获得应用。...
[会议论文] 作者：王彬,邓少芝,许宁生,姚彦可,佘峻聪,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
IGZO-TFT具备较高的迁移率、良好的透明度以及低的制备温度特性，在平板显示器件中有应用前景。本文基于直流磁控溅射方法制备IGZO薄膜，XRD检测结果表明薄膜呈非晶结构;研究了所...
[会议论文] 作者：沈岩, 邓少芝, 许宁生, 张宇, 刘飞, 陈军, 佘峻聪,,
来源： 年份：2004
相比于传统的热阴极材料,场发射冷阴极材料具有瞬时响应、功耗低等特点,在民用、军事和航天等领域均有广泛的应用[1]。其中,场发射冷阴极在微波真空电子器件中的应用是真空微...
[期刊论文] 作者：余俊,陈军,朱联峰,佘峻聪,邓少芝,许宁生,
来源：电子器件 年份：2008
采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现，碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受......
[期刊论文] 作者：姚建可,许宁生,邓少芝,陈军,佘峻聪,王彬,,
来源：液晶与显示 年份：2010
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探...
[会议论文] 作者：佘峻聪,黄一峰,王伟良,邓少芝,许宁生,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会 年份：2013
本文针对硅微尖锥阴极微纳加工工艺、场发射性能优化及相关物理机理开展研究,为提高硅微尖锥场发射阴极的可靠性、阵列中尖锥的场发射均匀性和发射电流强度/密度提供技术途径...
[会议论文] 作者：姚建可;许宁生;邓少芝;陈军;佘峻聪;王彬;,
来源：2010中国平板显示学术会议 年份：2010
用300℃ PECVD工艺，在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了20×20的底栅结构a-Si：H TFT阵列。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si：H薄膜的结构，用二探针法和四探针法分别表征了...
[期刊论文] 作者：余俊,陈军,朱联峰,佘峻聪,邓少芝,许宁生,,
来源：电子器件 年份：2008
采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性...
[会议论文] 作者：陈军, 陈道坤, 张志鹏, 陈毅聪, 佘峻聪, 邓少芝, 许,
来源： 年份：2004
冷阴极平板X射线源作为一种新型的X射线源,在医学成像、工业探伤和安防等领域有重要的应用前景。我们可控制备出大面积均匀发射的ZnO纳米线冷阴极电子源阵列,验证了采用ZnO纳...
[会议论文] 作者：曹秀清, 刘垣明, 郑克爽, 黄佳, 佘峻聪, 邓少芝, 许,
来源： 年份：2004
大面积可寻址冷阴极电子源阵列在场致平板显示、平板X射线源等真空微电子器件方面有重要应用。本研究设计了一种集可寻址和可电子束聚焦功能于一体的桥接栅控ZnO纳米线冷...
[会议论文] 作者：佘峻聪, 黄一峰, 黄志骏, 陈军, 邓少芝, 许宁生,,
来源： 年份：2004
场发射阴极电子源及其应用探索,是真空电子学的重要研究内容之一[1]。与传统热阴极电子源相比,场发射阴极电子源是依靠电场诱导电子隧穿发射,无需吸收外界能量,因此具有...
[会议论文] 作者：宋晓萌, 陈毅聪, 张志鹏, 佘峻聪, 邓少芝, 许宁生,,
来源： 年份：2004
本文研究CF4等离子体处理对氧化锌纳米线的电学特性和场发射特性的影响。X射线光电子能谱（XPS）结果显示处理后样品实现了F掺杂。利用原位纳米探针对单根纳米线的电学及场发射特......
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