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[学位论文] 作者：傅德颐,,
来源：南京大学 年份：2012
研究半导体材料中的基本科学问题,为提升材料和器件性能提供理论指导和实验依据,推动实现基于半导体材料的能源相关器件的大规模应用,最终缓解能源紧张局面,实现可持续发展,...
[期刊论文] 作者：李弋,谢自力,刘斌,傅德颐,张荣,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14....
[会议论文] 作者：傅德颐;张荣;刘斌;张曾;谢自立;修向前;郑有炓;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的...
[期刊论文] 作者：李明,张荣,刘斌,傅德颐,赵传阵,谢自力,修向前,郑有炓,,
来源：物理学报 年份：2012
首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程...
[期刊论文] 作者：苏辉, 张荣, 谢自力, 刘斌, 李毅, 傅德颐, 赵红, 华雪,
来源：半导体技术 年份：2011
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[期刊论文] 作者：洪聖哲, 傅德颐, 侯纪伟, 周段亮, 王博伦, 孙雨飞,,
来源：Science China Materials 年份：2004
在许多恶劣的工作环境中,器件难免会曝露在电子束辐照下.对于单原子层厚度的二维材料而言,电子束辐照经常会造成其本征性能的衰减.如何避开这一影响对于多功能化的二维异质结...
[期刊论文] 作者：周元俊,谢自力,张荣,刘斌,李弋,张曾,傅德颐,修向前,韩平,
来源：微纳电子技术 年份：2009
晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量，x射线衍射（XRD）为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用：介绍......
[期刊论文] 作者：谢自力,张荣,崔旭高,陶志阔,修向前,刘斌,李弋,傅德颐,张,
来源：半导体技术 年份：2008
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn...
[期刊论文] 作者：周元俊,谢自力,张荣,刘斌,李弋,张曾,傅德颐,修向前,韩平,
来源：微纳电子技术 年份：2004
晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段.分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介...
[期刊论文] 作者：宋黎红,谢自力,张荣,刘斌,李弋,傅德颐,张曾,崔影超,修向,
来源：半导体技术 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面...
[期刊论文] 作者：洪聖哲, 傅德颐, 侯纪伟, 周段亮, 王博伦, 孙雨飞, 柳鹏,
来源：null 年份：2018
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[期刊论文] 作者：周元俊,谢自力,张荣,刘斌,李弋,张曾,傅德颐,修向前,韩平,顾,
来源：微纳电子技术 年份：2020
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[期刊论文] 作者：谢自力,张荣,傅德颐,刘斌,修向前,华雪梅,赵红,陈鹏,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system.Three q...
[期刊论文] 作者：吴超,谢自力,张荣,张曾,刘斌,李弋,傅德颐,修向前,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：物理学报 年份：2008
采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆...
[期刊论文] 作者：周元俊,谢自力,张荣,刘斌,李弋,张曾,傅德颐,修向前,韩平,顾书林,郑有炓,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:...
[期刊论文] 作者：苏辉,张荣,谢自力,刘斌,李毅,傅德颐,赵红,华雪梅,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2011
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面...
[会议论文] 作者：李毅,施毅,郑有炓,张荣,谢自力,刘斌,苏辉,傅德颐,赵红,华雪梅,韩平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫描显示卫星峰达到了第四级，表明样品界面结构质量较好。从AFM......
[会议论文] 作者：宋黎红;韩平;施毅;郑有炓;谢自力;张荣;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;崔影超;修向前;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面...
[期刊论文] 作者：宋黎红,谢自力,张荣,刘斌,李弋,傅德颐,张曾,崔影超,修向前,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面...
[期刊论文] 作者：张曾,张荣,谢自力,刘斌,修向前,李弋,傅德颐,陆海,陈鹏,韩平,郑有炓,汤晨光,陈涌海,王占国,,
来源：物理学报 年份：2004
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×10...
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