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[期刊论文] 作者：冯荣珠,
来源：科学导报 年份：2016
摘要：企业文化是思想政治工作的重要载体，太重煤机有限公司在严峻的经济形势下，积极宣贯企业核心价值观，加快开展企业文化建设落地步伐，探索、构建常态化的企业文化管理新模式，建立完整的企业文化体系，极大提升了企业凝聚力，为企业思想政治工作注入了新的活力，并将企业文......
[期刊论文] 作者：辛国锋,冯荣珠,陈国鹰,花吉珍,
来源：激光与光电子学进展 年份：2003
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在...
[期刊论文] 作者：辛国锋,冯荣珠,陈国鹰,花吉珍,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉...
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,冯荣珠,花吉珍,安振峰,
来源：中国激光 年份：2003
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1...
[期刊论文] 作者：辛国锋,花吉珍,陈国鹰,康志龙,冯荣珠,安振峰,
来源：光电子·激光 年份：2003
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941 nm,光谱的半高全宽(FWHM...
[期刊论文] 作者：辛国锋, 花吉珍, 陈国鹰, 康志龙, 安振峰, 冯荣珠,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940...
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,冯荣珠,花吉珍,安振峰,牛健,赵卫青,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程，其中HF(40％)／CrO3(33wt%)腐蚀液比较适合，用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析，并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀......
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,花吉珍,赵润,康志龙,冯荣珠,安振峰,
来源：物理学报 年份：2004
从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响,计...
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,花吉珍,康志龙,赵卫青,安振峰,冯荣珠,牛健,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术成功生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱材料,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达2.36 W,中心激...
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