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[期刊论文] 作者：张炯,吴正立,
来源：半导体学报 年份：1998
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ‘ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨。结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场杂质浓度，通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策，首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验，结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：微电子学 年份：1996
为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能......
[期刊论文] 作者：薛刚,吴正立,
来源：微电子学 年份：1999
阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性，比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。...
[会议论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[会议论文] 作者：吴正立,严利人,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：吴君华,吴正立,
来源：微电子学 年份：1997
分析了ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ的简单电路模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈会晤窗口有很大的影响、采用指数......
[会议论文] 作者：吴君华,吴正立,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文对ＯＮＯ（ＳｉＯ〈，２〉／Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉／ＳｉＯ〈，２〉）叠层进行了实验研究，在ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ单元和ＦＬＡＳＨ单元中采用ＯＮＯ作为多晶之间介质层，并讨论了ＯＮＯ带来的好处及应用前景。......
[期刊论文] 作者：张炯,吴正立,李瑞伟,
来源：半导体学报 年份：1998
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数......
[会议论文] 作者：肖方兴,吴正立,付玉霞,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工......
[期刊论文] 作者：薛刚,吴正立,蒋志,曾莹,朱钧,
来源：微电子学 年份：1999
阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。The breakdown characteristics of ultra...
[期刊论文] 作者：王纪民,蒋志,李瑞伟,吴正立,
来源：微电子学 年份：1997
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂质系数，给出了表面浓度......
[会议论文] 作者：吴正立,李瑞伟,蒋志,王勇,王纪民,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫,
来源：微电子学 年份：1996
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥......
[期刊论文] 作者：吴正立,严利人,王纪民,蒋志,王勇,费圭甫,
来源：微电子学 年份：1996
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ２ＰＲＯＭ研制的需......
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