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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：光学技术 年份：1999
Ｘ射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。重点讨论了在Ｘ射线源、接近式曝光和全反射投......
[期刊论文] 作者：宋登元,,
来源：半导体光电 年份：1993
文章在简要概述了几种适合制备短波长发光器件材料——SiC,GaN和ZnSe的晶体结构、掺杂性质及外延技术后,主要介绍了它们在制备蓝色波段发光和激光二极管的新进展。...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：稀有金属 年份：1993
论述了宽禁带半导体金刚石和 SiC 的结晶与掺杂特性,及其在微波和光电器件中的重要应用。介绍了这两种材料的单晶生长与薄膜制备技术的重要进展,提出了今后的发展方向。...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：稀有金属 年份：1992
硅上生长高质量高温超导体薄膜的工作促进了微电子学和高温超导电子学的结合。这种新材料能集中半导体和超导材料的优异特性,将导致半导体和超导体组成的新一代混合集成电路...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：稀有金属 年份：1993
综述了多孔硅层发光与形成工艺条件的关系，讨论了环境气氛和温度对ＰＳＬ发光的影响，阐明了ＰＳＬ发光的一些最基本性质。...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：激光与红外 年份：1998
共焦激光扫描显微镜（ＣＬＳＭ）是将激光光学和数字图像处理技术相结合产生的一种新型高分辩率的表面检测设备。它能在自然环境下对固体表面进行无损伤检测，其三维图像的横向和纵向分辨率......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：稀有金属 年份：1990
本文评述了光诱导MOCVD技术的发展水平和技术进展。着重从生长动力学的角度介绍了光诱导MOCVD技术的原理、实验装置和光源的选取。并总结了可供借鉴的光诱导MOCVD的淀积规律,...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1994
由于ＳｉＣ材料的单晶生长，薄膜制备及相关器件工艺的长足进步，使ＳｉＣ半导体器件的研制和生产出现了蓬勃发展的局面。本文主要介绍了近几年ＳｉＣ材料的化学气相淀积，气相和离子注入掺杂，热生长ＳｉＯ２，活......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1992
纳电子学和真空微电子学是九十年代微电子学的两个极有发展前途的新方向。本文概要介绍了纳电子学和真空微电子学发展的状况及其主要器件的工作原理，并介绍了它们的应用领域和......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1991
本文在叙述了激光诱导化学掺杂技术基本原理的基础上,主要介绍了连续波激光直写化学掺杂和脉冲激光化学掺杂的方法及其掺杂特性,最后简要介绍了它在半导体器件制备工艺中的应...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1990
化学速外延(CBE)是近三,四年才发展起来的一种新的外延生长技术,本文较系统地评述了CBE的研究现状,并在把CBE技术与MOCVD和MBE技术比较的基础上,着重介绍了CBE的原理和特点,...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1998
综述了近年来有源矩阵晶显示器，场发射晶显示器和发光二极管显示器的研究进展，重点介绍了它们的工作原理，结构和某些关键制备技术，并对它们的发展前景作了简要的展望。...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1994
阐述了新型半导体器件材料－导电聚合物的基本特性概况，介绍它们在场效应晶体管，光发射二极管及其太阳池应用中的进展情况。...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体光电 年份：1998
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺，能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：物理 年份：1993
低温低压下化学气相淀积（ＣＶＤ）金刚石薄膜的技术是人工合成金刚石材料领域的重大进展．该技术能在各种衬底上制备出单晶或多晶金刚石薄膜．金刚石薄膜的淀积技术已受到了世界各国科学家......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
简要概述能带工程的概念,能带工程的外延手段和常用材料的特性,并介绍了以能带工程为基础的几种新器件....
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体杂志 年份：1990
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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：材料导报 年份：1993
宽禁带半导体金刚石、SiC和某些Ⅲ-Ⅴ碳氮化物的电学、热学、光学及力学特性优异,文中介绍了这些材料的电子学特性、器件应用和所存在的问题。...
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