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[期刊论文] 作者：席奎德,
来源：半导体技术 年份：1990
在双极型集成电路生产中,某些品种的电路,特别是线性电路,要求其外延层的电阻率为1.0～7.0Ω·cm,通称为高阻外延层。 在生产实践中,我们发现,使用在水平反应室内用Si...
[期刊论文] 作者：席奎德,
来源：半导体技术 年份：2004
一、问题的提出 在生产实践中,我们发现,硅单晶衬底经高温工艺(氧化、锑扩散和外延)后,用西尔(Sirtl)腐蚀剂腐蚀,其表面往往呈现出具有星状结构的滑移线(图1)。在显微镜下观...
[期刊论文] 作者：席奎德,
来源：半导体技术 年份：1989
在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电...
[期刊论文] 作者：席奎德,,
来源：半导体技术 年份：1986
一、引言在双极型集成电路生产中,为了提高电路速度,采用了薄层外延,对通隔离和浅结扩散工艺。对通隔离的下隔离是作在外延之前的,因此在外延生长过程中有硼的自掺杂问题。...
[期刊论文] 作者：席奎德,
来源：半导体技术 年份：1984
在当前的工业生产中,硅外延的最普遍的方法是SiCι_4+H_2热还原法.由于设备状态、衬底状态和对外延层的要求不同,工艺方法亦不可能完全统一,对薄层外延尤其如此.所谓薄层外延...
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